IPS8160HQ八通道高側驅動器是采用VIPower M0-3技術設計的單片器件,可驅動任何類型一側接地的負載。這些驅動器具有CMOS兼容輸入、極低待機電流、欠壓關斷以及具有輸出電流限制的過載和短路保護特性。IPS8160HQ高側驅動器還具有外殼過熱保護功能,可實現通道的熱獨立性,防止出現虛接地,并設有熱關斷診斷引腳。
產品屬性
開關類型: 通用
輸出數: 8
比率 - 輸入:輸出: 1:1
輸出配置: 高端
輸出類型; N 通道
接口:開/關
電壓 - 負載: 7V ~ 45V
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):7V ~ 45V
電流 - 輸出(最大值): 700mA
導通電阻(典型值): 160 毫歐(最大)
輸入類型: CMOS
特性: 自動重啟,狀態(tài)標志
故障保護: 限流(固定),過載,超溫,反向電池,短路,UVLO
工作溫度: -40°C ~ 125°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應商器件封裝: 48-QFN(8x6)
封裝/外殼: 48-VFQFN 裸露焊盤
應用
可編程邏輯控制
自動售貨機
工業(yè) PC 外圍設備輸入/輸出
數控機床
一般高壓側開關應用
型號
品牌
封裝
數量
描述
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意法半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產品采用先進的專有溝槽柵場截止結構,旨在優(yōu)化導通和開關損耗的平衡,從而提高任何頻率轉換器的效率?。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…STGW40H120DF2
STGW40H120DF2是一種IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),屬于H系列,具有1200V的耐壓和40A的電流處理能力。?該器件采用先進的溝槽柵場截止結構,具有高效能、快速開關和低導通損耗的特點。其技術規(guī)格如下:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - …STGW30V60DF
STGW30V60DF是一款600V超高速溝槽柵場截止V系列IGBT,采用TO-247-3封裝,適用于需要高速開關和高效率的應用場景?。其技術規(guī)格和應用場景如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60 A電流 - 集電極脈沖 …STGW10M65DF2
STGW10M65DF2器件是一款IGBT,采用先進的專有溝槽柵極場截止結構開發(fā)而成。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統性能和效率之間的最佳平衡,其中低損耗和短路功能至關重要。此外,正VCE(sat)溫度系數和緊密的參數分布使并聯操作更加安全。其技術規(guī)格和應用如下:…STGW30NC120HD
STGW30NC120HD器件是一款N溝道1200 V、30 A超快PowerMESH IGBT 晶體管。其技術規(guī)格和應用如下:技術規(guī)格電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V,20A功率 - 最大值:220 W開關能量:1.66…STM32G051G8U3
STM32G051G8U3主流微控制器基于Arm Cortex-M0+ 32位RISC核心,工作頻率可達48 MHz?。它具有64 KB的Flash程序存儲器和18 KB的RAM,適用于各種應用場景,包括消費者、工業(yè)和家電領域,并且適用于物聯網(IoT)解決方案?。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格產品:STM32G…電話咨詢:86-755-83294757
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