商品名稱:LSM6DSRXTR
數(shù)據(jù)手冊:LSM6DSRXTR.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:14-LGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
LSM6DSRXTR是一個系統(tǒng)級封裝,具有一個 3D 數(shù)字加速度計和一個 3D 數(shù)字陀螺儀。三維數(shù)字陀螺儀,陀螺儀的滿量程范圍擴展至 4000dps,并具有較高的溫度和時間穩(wěn)定性。支持主要的操作系統(tǒng)要求,提供真實、虛擬和批量傳感器,9 kbytes,F(xiàn)IFO 壓縮高達三倍,用于動態(tài)數(shù)據(jù)批處理。
特性
● 針對陀螺儀的擴展?jié)M量程范圍(高達4000dps)
● 在整個溫度和時間范圍內具有高穩(wěn)定性
● 智能FIFO高達9KB
● 兼容Android
● 陀螺儀和加速度計用OIS數(shù)據(jù)輸出的輔助SPI
● ±2/±4/±8/±16g滿量程
● ±125/±250/±500/±1000/±2000/±4000dps滿量程
● 模擬電源電壓:1.71V至3.6V
● SPI/I2C和MIPI I3CSM串行接口,具有主處理器數(shù)據(jù)同步功能
應用
● 運動跟蹤和手勢檢測
● 虛擬和增強現(xiàn)實
● 相機應用的OIS
● 傳感器集線器
● 室內導航
● 物聯(lián)網(wǎng)及聯(lián)網(wǎng)設備
● 體育應用
● 振動監(jiān)測與補償
● 無人機
● 機器人
● 高精度系統(tǒng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。
答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標注貨期,您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間,具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
意法半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術規(guī)格和應用場景如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進的專有溝槽柵場截止結構,旨在優(yōu)化導通和開關損耗的平衡,從而提高任何頻率轉換器的效率?。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…STGW40H120DF2
STGW40H120DF2是一種IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),屬于H系列,具有1200V的耐壓和40A的電流處理能力。?該器件采用先進的溝槽柵場截止結構,具有高效能、快速開關和低導通損耗的特點。其技術規(guī)格如下:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - …STGW30V60DF
STGW30V60DF是一款600V超高速溝槽柵場截止V系列IGBT,采用TO-247-3封裝,適用于需要高速開關和高效率的應用場景?。其技術規(guī)格和應用場景如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60 A電流 - 集電極脈沖 …STGW10M65DF2
STGW10M65DF2器件是一款IGBT,采用先進的專有溝槽柵極場截止結構開發(fā)而成。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能和效率之間的最佳平衡,其中低損耗和短路功能至關重要。此外,正VCE(sat)溫度系數(shù)和緊密的參數(shù)分布使并聯(lián)操作更加安全。其技術規(guī)格和應用如下:…STGW30NC120HD
STGW30NC120HD器件是一款N溝道1200 V、30 A超快PowerMESH IGBT 晶體管。其技術規(guī)格和應用如下:技術規(guī)格電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V,20A功率 - 最大值:220 W開關能量:1.66…電話咨詢:86-755-83294757
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