商品名稱:STM8S105S4T6C
數(shù)據(jù)手冊(cè):STM8S105S4T6C.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:44-LQFP
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
STM8S105S4T6C Access Line 8位微控制器提供16KB 閃存程序存儲(chǔ)器,以及集成的真數(shù)據(jù)EEPROM。STM8S105x4/6 Access系列的所有器件都具有以下優(yōu)勢(shì):降低系統(tǒng)成本、提高性能和穩(wěn)定性、縮短開(kāi)發(fā)周期以及延長(zhǎng)產(chǎn)品壽命。
產(chǎn)品屬性
核心處理器:STM8
內(nèi)核規(guī)格:8 位
速度:16MHz
連接能力:I2C,IrDA,LINbus,SPI,UART/USART
外設(shè):欠壓檢測(cè)/復(fù)位,POR,PWM,WDT
I/O 數(shù):34
程序存儲(chǔ)容量:16KB(16K x 8)
程序存儲(chǔ)器類型:閃存
EEPROM 容量:1K x 8
RAM 大?。?K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):2.95V ~ 5.5V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 9x10b
振蕩器類型:內(nèi)部
工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:44-LQFP
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
VQFN-20
6000
AVR tinyAVR? 1, Functional Safety (FuSa) 微控制器 IC 8 位 20MHz 8KB(8K x 8) 閃存 20-VQFN(3x3)
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STGIPNS4C60T-H
STGIPNS4C60T-H是一款緊湊型高性能交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,采用簡(jiǎn)潔卻堅(jiān)固的設(shè)計(jì)。由六個(gè)帶續(xù)流二極管的IGBT和三個(gè)用于柵極驅(qū)動(dòng)控制的半橋HVIC組成,具有低電磁干擾(EMI)特征和經(jīng)過(guò)優(yōu)化的開(kāi)關(guān)速度。其特點(diǎn)和主要規(guī)格如下:特點(diǎn)包含用于柵極驅(qū)動(dòng)控制IC和續(xù)流二極管的IPM 3 A、600…STGY40NC60VD
STGY40NC60VD是一款N溝通 50A-600V的IGBT,適用于需要高電流和高頻率操作的應(yīng)用場(chǎng)景。STGY40NC60VD適用于需要高電流和高頻率操作的應(yīng)用場(chǎng)景,如工業(yè)控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電力轉(zhuǎn)換等。STGY40NC60VD的主要規(guī)格如下:IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電…STGB10NC60HDT4
STGB10NC60HDT4采用先進(jìn)的PowerMESH技術(shù),確保在開(kāi)關(guān)性能和低導(dǎo)通狀態(tài)行為之間取得良好的平衡。該技術(shù)使得STGB10NC60HDT4在導(dǎo)通時(shí)的電壓降(VCE(sat))較低,且沒(méi)有交叉?zhèn)鲗?dǎo)的嫌疑,恢復(fù)特性非常軟且快速?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用領(lǐng)域如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極…STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車(chē)規(guī)級(jí)溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)開(kāi)發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無(wú)尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時(shí)為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專有溝柵場(chǎng)運(yùn)算結(jié)構(gòu)開(kāi)發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…電話咨詢:86-755-83294757
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