商品名稱:NCV59801CMLADJTCG
數(shù)據(jù)手冊(cè):NCV59801CMLADJTCG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:8-VDFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
安森美NCV59801CMLADJTCG高精度低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器是1A器件,具有高PSRR、低噪聲和電源良好開(kāi)路集電極輸出。穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)用于滿足射頻/敏感模擬電路要求,具有低靜態(tài)電流,可調(diào)節(jié)低至0.6V的輸出電壓。該器件采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)DFNW8 0.65P (3mm x 3mm) 和WDFNW6 0.65P (2mm x 2mm) 封裝,可提供出色的負(fù)載/線路瞬變。設(shè)計(jì)用于搭配4.7μF輸入/輸出陶瓷電容器使用。
特性
● 工作輸入電壓范圍:1.6V至5.5V
● 0.6V至5.0V固定電壓選項(xiàng)
● 0.6V可調(diào)版本參考電壓
● 初始精度:±0.7%(+25°C時(shí))
● 整個(gè)負(fù)載和溫度范圍內(nèi)的精度:±1%(高達(dá)+125°C)
● 低靜態(tài)電流:35μA(典型值)
● 關(guān)斷電流:0.1μA(典型值)
● 極低壓差:120mV(典型值,1A時(shí),3.3V型號(hào))
● 高PSRR:85dB(典型值)(100mA,f=1kHz時(shí))
● 低噪聲:10μVRMS(固定版本)
● 可通過(guò)小型4.7μF陶瓷電容器穩(wěn)定工作
● 受控輸出電壓轉(zhuǎn)換率:5mV/μs
● 無(wú)鉛、無(wú)鹵/無(wú)BFR,符合RoHS指令
應(yīng)用
● 通信系統(tǒng)
● 車載網(wǎng)絡(luò)
● 遠(yuǎn)程信息處理、信息娛樂(lè)和儀表板
● 通用汽車
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄嚒⑼ㄐ?、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)預(yù)驅(qū)動(dòng)器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費(fèi)類電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級(jí)結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級(jí)聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場(chǎng)上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開(kāi)關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開(kāi)關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢:86-755-83294757
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