商品名稱:SPC58NH92E7RMI0X
數(shù)據(jù)手冊(cè):SPC58NH92E7RMI0X.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:LQFP-176
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
SPC58NH92E7RMI0X 線路性能微控制器 采用Power Architecture?技術(shù),設(shè)計(jì)用于需符合最嚴(yán)格安全標(biāo)準(zhǔn)以及實(shí)時(shí)性能至關(guān)重要的任務(wù)關(guān)鍵型汽車應(yīng)用。 SPC58 N線路性能MCU嵌入了3個(gè)內(nèi)核(每個(gè)內(nèi)核的頻率為200MHz)和200MHz通用定時(shí)器IP模塊 (GTM),專門設(shè)計(jì)用于需要高性能、更快信號(hào)處理速度以及CPU負(fù)載最低至零的應(yīng)用。
SPC58NH92E7RMI0X 線路性能微控制器 采用Power Architecture?技術(shù),設(shè)計(jì)用于需符合最嚴(yán)格安全標(biāo)準(zhǔn)以及實(shí)時(shí)性能至關(guān)重要的任務(wù)關(guān)鍵型汽車應(yīng)用。 SPC58 N線路性能MCU嵌入了3個(gè)內(nèi)核(每個(gè)內(nèi)核的頻率為200MHz)和200MHz通用定時(shí)器IP模塊 (GTM),專門設(shè)計(jì)用于需要高性能、更快信號(hào)處理速度以及CPU負(fù)載最低至零的應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類:32位微控制器 - MCU
系列:SPC58NH92E7
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:eLQFP-176
核心:e200z4
程序存儲(chǔ)器大小:10 MB
數(shù)據(jù) RAM 大小:1.06 MB
數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit
ADC分辨率:10 bit, 12 bit
最大時(shí)鐘頻率:200 MHz
輸入/輸出端數(shù)量:154 I/O
電源電壓-最小:1.2 V
電源電壓-最大:1.2 V
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 125 C
數(shù)據(jù) Ram 類型:SRAM
接口類型:Ethernet, I2C, SPI, UART
濕度敏感性:Yes
ADC通道數(shù)量:100 Channel
產(chǎn)品:MCU
產(chǎn)品類型:32-bit Microcontrollers - MCU
程序存儲(chǔ)器類型:Flash
工廠包裝數(shù)量: 500
子類別:Microcontrollers - MCU
看門狗計(jì)時(shí)器:No Watchdog Timer
單位重量:1.650 g
應(yīng)用
高級(jí)動(dòng)力傳動(dòng)應(yīng)用
混合動(dòng)力汽車 (HEV) 和電動(dòng)汽車 (EV) 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
電動(dòng)轉(zhuǎn)向系統(tǒng)
主動(dòng)懸架應(yīng)用
防抱死制動(dòng)
高級(jí)輔助駕駛系統(tǒng) (ADAS)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Renesas
144-LQFP
2000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 144-LFQFP(20x20)
Renesas
144-LQFP
2000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 144-LFQFP(20x20)
Renesas
100-LQFP
2000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 100-LFQFP(14x14)
Renesas
100-LQFP
1000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 100-LFQFP(14x14)
Renesas
144-LQFP
2000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 144-LFQFP(16x16)
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級(jí)溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無(wú)尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時(shí)為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專有溝柵場(chǎng)運(yùn)算結(jié)構(gòu)開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場(chǎng)景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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