商品名稱:SPC58NH92E7HMI0X
數(shù)據(jù)手冊:SPC58NH92E7HMI0X.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:LQFP-176
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
SPC58 N線路性能微控制器 采用Power Architecture?技術(shù),設(shè)計(jì)用于需符合最嚴(yán)格安全標(biāo)準(zhǔn)以及實(shí)時(shí)性能至關(guān)重要的任務(wù)關(guān)鍵型汽車應(yīng)用。 SPC58 N線路性能MCU嵌入了3個(gè)內(nèi)核(每個(gè)內(nèi)核的頻率為200MHz)和200MHz通用定時(shí)器IP模塊 (GTM),專門設(shè)計(jì)用于需要高性能、更快信號處理速度以及CPU負(fù)載最低至零的應(yīng)用。
SPC58 N線路MCU系列設(shè)計(jì)用于滿足最高的ASIL-D安全水平,非常適合用于高級動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)應(yīng)用、混合動(dòng)力汽車 (HEV) 和電動(dòng)汽車 (EV) 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、主動(dòng)懸架應(yīng)用、防抱制動(dòng)以及高級駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS)。
SPC58 N線路MCU具有出色的性能,具有多達(dá)3個(gè)內(nèi)核和高達(dá)6MB嵌入式閃存以及獨(dú)立的SAR和Σ-Δ模數(shù)轉(zhuǎn)換器,可確保高速度、高精度、高分辨率傳感。這些器件支持高工作溫度,通過豐富的通信接口(包括以太網(wǎng)、Flexray、CAN FD、LIN和SENT)確保增強(qiáng)的連接能力。
特性
符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)
32位Power Architecture VLE兼容CPU內(nèi)核
五個(gè)增強(qiáng)型主e200z4256n3內(nèi)核,雙指令執(zhí)行,兩個(gè)以鎖步方式配對
浮點(diǎn),端到端糾錯(cuò)
6576KB(6288KB代碼閃存+ 288KB數(shù)據(jù)閃存)片上閃存
支持在編程和擦除操作期間進(jìn)行讀取,并支持允許EEPROM仿真的多個(gè)塊
支持在兩個(gè)代碼閃存之間讀取時(shí)進(jìn)行讀取
128KB片上通用SRAM(加上CPU中包含的384KB)
96通道直接內(nèi)存訪問控制器 (eDMA)
全面的新一代ASIL-D安全理念:
ISO 26262中的ASIL-D
用于收集和響應(yīng)故障通知的FCCU
內(nèi)存錯(cuò)誤管理單元 (MEMU),用于收集和報(bào)告內(nèi)存中的錯(cuò)誤事件
循環(huán)冗余校驗(yàn) (CRC) 單元
雙通道FlexRay控制器
硬件安全模塊 (HSM)
GTM344 - 通用定時(shí)器模塊
智能復(fù)合定時(shí)器模塊
144個(gè)通道(48路輸入和96路輸出)
5個(gè)可編程細(xì)粒度多螺紋磁芯
61KB專用RAM
24位寬通道
增強(qiáng)型模數(shù)轉(zhuǎn)換器系統(tǒng),設(shè)有如下器件:
1個(gè)監(jiān)控器12位SAR模擬轉(zhuǎn)換器
2個(gè)獨(dú)立的10位SAR模擬轉(zhuǎn)換器
4個(gè)獨(dú)立的快速12位SAR模擬轉(zhuǎn)換器
6個(gè)獨(dú)立16位Σ-Δ型模擬轉(zhuǎn)換器,帶可編程抽取濾波器
SAR ADC隊(duì)列數(shù)字接口,用于單個(gè)通道訂購和命令排序
通信接口
7個(gè)LINFlexD模塊
8個(gè)解串串行外設(shè)接口 (DSPI) 模塊
7個(gè)模塊化控制器局域網(wǎng) (MCAN) 模塊和1個(gè)時(shí)間觸發(fā)控制器局域網(wǎng) (M-TTCAN),均支持靈活的數(shù)據(jù)速率 (ISO CAN-FD)
一個(gè)以太網(wǎng)控制器10/100Mbps,符合IEEE 3-2008標(biāo)準(zhǔn)
靈活的電源選項(xiàng)
外部穩(wěn)壓器(1.2V內(nèi)核,3.3V至5V IO)
單個(gè)內(nèi)部SMPS穩(wěn)壓器
Nexus開發(fā)接口 (NDI),符合IEEEISTO 5001-2003標(biāo)準(zhǔn),部分支持2010標(biāo)準(zhǔn)
引導(dǎo)輔助閃存 (BAF) 通過異步CAN或LIN/UART并借助串行引導(dǎo)加載來支持工廠編程
結(jié)溫范圍:-40°C至+165°C
封裝選項(xiàng):eLQFP-176 (24.0mm x 24.0mm x 1.4mm)
應(yīng)用
高級動(dòng)力傳動(dòng)應(yīng)用
混合動(dòng)力汽車 (HEV) 和電動(dòng)汽車 (EV) 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
電動(dòng)轉(zhuǎn)向系統(tǒng)
主動(dòng)懸架應(yīng)用
防抱死制動(dòng)
高級輔助駕駛系統(tǒng) (ADAS)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Renesas
144-LQFP
2000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 144-LFQFP(20x20)
Renesas
144-LQFP
2000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 144-LFQFP(20x20)
Renesas
100-LQFP
2000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 100-LFQFP(14x14)
Renesas
100-LQFP
1000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 100-LFQFP(14x14)
Renesas
144-LQFP
2000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 144-LFQFP(16x16)
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時(shí)為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專有溝柵場運(yùn)算結(jié)構(gòu)開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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