商品名稱:STM32F767IGT6
數據手冊:STM32F767IGT6.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:LQFP-176
貨期:全新原裝
庫存數量:5000 件
STM32F767IGT6 一款基于高性能的ARM Cortex-M7 32位單核微控制器芯片,工作頻率高達 216MHz。Cortex?-M7 內核具有單浮點單元(SFPU)精度,支持所有 ARM? 單精度數據處理指令與數據類型。同時執(zhí)行全套 DSP 指令和存儲保護單元(MPU),增強應用安全性。
規(guī)格
核心處理器:ARM? Cortex?-M7
內核規(guī)格:32 位單核
速度:216MHz
連接能力:CANbus,EBI/EMI,以太網,I2C,IrDA,LINbus,MMC/SD/SDIO,QSPI,SAI,SPDIF,SPI,UART/USART,USB OTG
外設:欠壓檢測/復位,DMA,I2S,LCD,POR,PWM,WDT
I/O 數:140
程序存儲容量:1MB(1M x 8)
程序存儲器類型:閃存
EEPROM 容量:-
RAM 大?。?12K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):1.7V ~ 3.6V
數據轉換器:A/D 24x12b; D/A 2x12b
振蕩器類型:內部
工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:176-LQFP
供應商器件封裝:176-LQFP(24x24)
基本產品編號:STM32F767
型號
品牌
封裝
數量
描述
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STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進的專有溝槽柵場截止結構開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數特性和緊密的參數分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進專有溝槽柵場截止結構的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現傳導損耗和開關損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉換器的效率。其最大結溫為175C,具有無尾關斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V(典型值),并且參數分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進的專有溝柵場運算結構開發(fā),旨在實現傳導和開關損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數VCE(sat)和嚴格的參數分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術規(guī)格和應用場景如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產品采用先進的專有溝槽柵場截止結構,旨在優(yōu)化導通和開關損耗的平衡,從而提高任何頻率轉換器的效率?。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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