明佳達電子現(xiàn)有 CY7C1021DV33-10VXI 靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）現(xiàn)貨供應，該芯片是高性能的靜態(tài)存儲解決方案，采用先進工藝制造，具備出色的穩(wěn)定性和可靠性。描述：CY7C1021DV33-10VXICY7C1021DV33-10VXI是高速1Mbit (128K8位)靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)，采用先進的CMOS…
明佳達電子現(xiàn)有 CY7C1021DV33-10VXI 靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）現(xiàn)貨供應，該芯片是高性能的靜態(tài)存儲解決方案，采用先進工藝制造，具備出色的穩(wěn)定性和可靠性。
CY7C1021DV33-10VXI是高速1Mbit (128K×8位)靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)，采用先進的CMOS工藝制造，具有10ns高速訪問時間，工作電壓3.3V，是工業(yè)控制、通信設備和嵌入式系統(tǒng)等應用的理想選擇。
邏輯框圖：CY7C1021DV33-10VXI
高容量與快速讀寫 ：提供大容量存儲空間，讀寫速度快，可滿足高速數(shù)據(jù)存儲和讀取需求。
低功耗設計 ：采用低功耗技術(shù)，適合對功耗要求嚴格的設備，延長電池續(xù)航時間。
穩(wěn)定可靠 ：具備高抗干擾性和數(shù)據(jù)保持能力，即使在惡劣環(huán)境下也能確保數(shù)據(jù)的完整性。
易于集成 ：接口簡單，與各類處理器和控制器兼容良好，便于在各種系統(tǒng)中集成應用。
參數(shù)：CY7C1021DV33-10VXI
內(nèi)存類型 ：靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）
內(nèi)存容量 ：128Kb
接口 ：16 位
速度 ：10ns
電源電壓 ：3.3V
工作溫度 ：- 40°C 至 85°C
封裝 ：TSSOP
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